PANORAMICA
L’adozione globale dei dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) da 3,3 kV sta accelerando, spinta dalla crescente domanda industriale di maggiore efficienza, più elevata densità di potenza e conversione dell’energia ad alta tensione (HV) altamente affidabile. Grazie allo sviluppo di applicazioni emergenti come il trasporto pesante & la trazione ferroviaria, i data center per l’intelligenza artificiale, le infrastrutture per i veicoli elettrici e i sistemi energetici su scala di rete, la tecnologia SiC da 3,3 kV sta ridefinendo il futuro dell’elettronica di potenza.
Per supportare il passaggio dallo sviluppo dei dispositivi alla produzione su larga scala, le soluzioni di test devono affrontare le sfide specifiche dei dispositivi SiC ad alta tensione, tra cui la precisione delle misurazioni, la garanzia di affidabilità, i costi di test e l’efficienza produttiva.
| Fattore critico | Si ad alta tensione | SiC da 3,3 kV di nuova generazione |
|---|---|---|
| Tensione di breakdown | Inferiore (<3 kV) | Superiore (4-4,5 kV) |
| Velocità di commutazione (dv/dt) | Bassa (<10 V/ns) | Estrema (>50-100 V/ns) |
| Tolleranza al cortocircuito | Elevata (<1 us) | Critica (<400 ns) |
| Induttanza parassita | Meno critica | Critica (<30 nH) |
COSMIC M2
La soluzione M2 di Cosmic offre una piattaforma completa e collaudata sia per la caratterizzazione in fase di ricerca e sviluppo (R&D) sia per i test nella produzione ad alti volumi dei dispositivi SiC da 3,3 kV, aiutando i produttori a massimizzare la capacità produttiva, eseguire test in totale sicurezza e aumentare la produttività.
Completezza | Tutto ciò che serve per i dispositivi SiC da 3,3 kV in AC e DC
I dispositivi SiC da 3,3 kV presentano una tensione di breakdown compresa tra 4 e 4,5 kV. Le espansioni HV da 4,5 kV e 10 kV dell’M2 supportano i test ad alta tensione, garantendo misurazioni precise anche di correnti molto basse.
200 A (espandibile fino a 1000 A)
Per i dispositivi SiC da 3,3 kV con regioni di svuotamento più profonde, M2 Cygni combina i test Rg e le misurazioni di capacità con polarizzazione ad alta tensione per valutare la struttura del gate mentre la struttura del dispositivo responsabile del blocco della tensione è attiva.
Misurazione di Ciss/Cross/Coss
M2 DS6 Magnetar supporta i test dinamici dei dispositivi SiC da 3,3 kV all’80% della tensione nominale.
Protezione con tempi di intervento inferiori al microsecondo e misurazioni a bassa induttanza per commutazioni rapide e un’elevata tolleranza al cortocircuito. La funzionalità UIS da 5 kV aggiunge la possibilità di eseguire test di stress da valanga ad alta tensione.
TEST COLLAUDATI PER DISPOSITIVI SIC DA 3,3 KV IN OGNI FASE
M2 WAFER EDITION
Test ad alta tensione con generatori DC da 4,5 kV / 10 kV.
Rilevamento precoce dei difetti con test DC, UIS e Rg in un’unica postazione.
Protezione completa per sonde e generatori durante il breakdown del dispositivo nei test UIS.
WAFER
M2 TURRET EDITION
Massima capacità produttiva con UPH fino a 15.000 dispositivi/ora.
Test versatili per dispositivi di potenza SiC da 3,3 kV.
Elevata produttività grazie alla compatibilità con tutti i sistemi di movimentazione rotativi e a nastro trasportatore.
DIE | DISCRETI | PICCOLI MODULI
M2 FLEXIBLE EDITION
Movimentazione flessibile per frequenti cambi di prodotto grazie ai sistemi pick-and-place.
Piattaforma scalabile che si adatta alla crescita delle esigenze produttive.
Risultati riproducibili dai test di laboratorio e su wafer fino ai test finali su KGD, dispositivi incapsulati e piccoli moduli.
DIE | DISCRETI | MODULI
M2 MAGNETAR600
Soluzione di laboratorio chiavi in mano per dispositivi SiC da 3,3 kV, con misurazioni DC/AC e socket a bassa induttanza per i diversi package dei dispositivi.
Elevata precisione con risultati riproducibili su sistemi diversi.
Protezione completa per gli operatori e la strumentazione di misura.
DIE | DISCRETI | MODULI